ترغب الكثير من الشركات في أن تتفوق على تقنية NVIDIA التي قدمت كارت الشاشة GeForce GTX 1080 التي جاءت بعملية تصنيع 16nm FinFET، وشركة TSMC هي أحد الشركات التي بدأت بالفعل في تطوير تقنيتها الخاصة لتقدم 5nm في عام 2020. تسعى عملاق الكوري سامسونج في الوقت الحالي لتقدم للدفع بتقنية EUV لعملية تصنيع 7nm node كما تلحق بها شركة TSMC في العمل على نفس التقنية EUV لتقدم 7nm node في عام 2017. وقد أكد Mark Liu المدير التنفيذي لشركة TSMC، أن الشركة لديها خطط جادة للدفع بتطوير تقنية EUV في عملية تصنيع 5nm لتنطلق في عام 2020، كما أكد على أن الشركة تهدف إلى تبسيط عملية التصنيع إلى أقصى درجة، لتصل إلى تقنية node جديدة بأقل تكلفة إجمالية. كما أشار الرئيس التنفيذي في تصريحاته، إلى أن شركة TSMC نجحت في إضافة العديد من التحسينات في البنية الرئيسية في تقنية EUV، حيث استطاعت أن تنفيذ مصدر للطاقة 125W EUV في محتوى ASML NXE:3350، كما أكدت على بدء عملية اختبار تقنية EUV لمعالجة lithography. اشارت TSMC أيضاً إلى أنها نجحت في تحقيق تكامل في عملية تصنيع 7nm، بين الماسح الضوئي ومقاومة الضوء، مع إضافة أثنين من ماسح EUV في 2017، كما أكد Liu أن هذه التقنية ستضمن عملية تصنيع 10nm بتقنية وأداء أفضل، مع توقعات أن تعود بعائدات على شركة TSMCمع نهاية عام 2017. وقد أطلقت TSMC حتى الآن ثلاثة من المنتجات للمستخدمين التي ترتكز على عملية تصنيع 10nm، والتي حققت أداء جيد في الأسواق حتى الآن.
